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Lecture 8: 体心立方

Lecture 6、7 的主角是八面体和四面体空隙,这一讲的主角是体心立方——准确地说,是堆积记号 \(PTOT\):四面体和八面体按比例混合填充。最经典的例子是 \(\ce{CsCl}\) 型,它常被误认成体心立方点阵,但恰恰相反:两种离子各自形成一套简单立方点阵(\(cP\))。这一讲我们先把它讲透,再看它的十几种"变装",最后见识一下 hcp 里的"摆烂"选手 \(\ce{ReB3}\)

8.1 ccp:CsCl

8.1.1 基本结构

\[ \ce{CsCl}: \quad 3 \cdot 2PTOT \]

结构信息:

  • 晶系/点群:立方晶系,\(O_h\)
  • 点阵形式:\(cP\)(注意是简单立方,不是带心!);
  • 空间群:\(Pm\overline{3}m\)
  • 堆积记号:\(3 \cdot 2PTOT\)(对 ccp 而言 \(P\)\(O\) 等价,所以有时也写作 \(2\))。

示例: 氯化铯 CsCl

球棍模型 多面体模型
占位符:CsCl 球棍模型(原图:temp/images/image228.png) 占位符:CsCl 空隙分布模型(原图:temp/images/image229.png)

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CsCl 不是体心立方点阵

\(\ce{CsCl}\) 常被误认为 \(cI\)。实际上两种离子不同,\(\ce{Cs}\)\(\ce{Cl}\) 各自形成一套简单立方点阵(\(cP\)),空间群是 \(Pm\overline{3}m\)。真正体心立方点阵(\(cI\))的典型例子是金属钨(Lecture 5)。

为什么叫 PTOT?

\(PTOT\) 表示密置层 + 四面体空隙 + 八面体空隙 + 四面体空隙的填充序列:阳离子一半坐八面体、一半坐四面体(等效地看,就是体心位置的阳离子被 8 个阴离子立方配位)。堆积记号在这里"换算"成了体心立方几何。

8.1.2 CsCl 的变式

\(\ce{CsCl}\) 型结构简单,但变装极其丰富,讲义整理了一大串:

1)\(\ce{AgI}\) 导电。 \(\ce{Ag^+}\) 很小,可以在 \(\ce{CsCl}\) 的各种空隙之间穿梭,高温下变成优秀的银离子导体——"固体里的离子在游泳"。

2)\(\ce{CN^-}\) 畸变:\(\ce{CsCN}\)\(\ce{NH4CN}\) \(\ce{CN^-}\) 是哑铃形,低温下旋转受阻,\(\ce{CsCN}\) 畸变为三方晶系;\(\ce{NH4CN}\) 则存在两种取向的 \(\ce{CN}\)

3)氢键畸变:\(\ce{NH4Cl}\) 低温时静电作用占主导,采取 \(\ce{CsCl}\) 结构;高温时热运动破坏有序,变成 \(\ce{NaCl}\) 结构。\(\ce{NH4HF2}\) 也是氢键畸变的同类。

占位符:AgI、CsCN 与 NH4Cl 的畸变(原图:temp/images/image230.png–image234.png)

4)\(\ce{Cr2Al}\):多层堆积。\(\ce{CsCl}\) 的"单层"叠加成多层结构。

5)原子替换:

  • \(\ce{XeF2}\)\(\ce{Hg2Cl2}\):替换后畸变为体心四方(哑铃形分子平行排列);
  • \(\ce{Pd4Se}\):把某个位置替换为四面体\(\ce{Pd4}\) 簇);
  • \(\ce{CaB6}\):把 \(\ce{B}\) 连成八面体原子簇再按 \(\ce{CsCl}\) 排列。

占位符:XeF2、Pd4Se 与 CaB6(原图:temp/images/image236.png、image237.png、image238.png)

6)八倍晶胞的原子替换: \(\ce{BiF3}\)\(\ce{K3C60}\) 都在八倍大小的 \(\ce{CsCl}\) 晶胞里做文章——\(\ce{C60^{3-}}\) 球取代了氯的位置,钾填在空隙里。十二水合硫酸铝钾(明矾)\(\ce{K(H2O)6Al(H2O)6(SO4)2}\) 也是这类"八倍晶胞"的经典。

占位符:BiF3、K3C60 与明矾(原图:temp/images/image239.png、image240.png、image241.png)

7)\(\ce{TlSe}\)\(\ce{Tl(I)(Tl(III)Se2)^-}\)\(\ce{TlSe2^-}\) 长链和 \(\ce{Tl^+}\) 组成,整体是畸变的 \(\ce{CsCl}\)——"一根链 + 一个阳离子"也可以搭出氯化铯。

8)部分填充:\(\ce{K2PtCl4}\)\(3 \cdot 2P_{1/2}TO_{1/2}T\) 空隙只填一半,\(\ce{CsCl}\) 骨架"镂空"后由 \(\ce{PtCl4^{2-}}\) 平面四方单元填充。

占位符:TlSe 与 K2PtCl4(原图:temp/images/image242.png、image243.png、image244.png)

8.2 hcp 的 PTOT:ReB\(_3\)

讲义在这一节只写了一句:"你竟然还想爆?"——hcp 里的 \(PTOT\) 也躲不开四面体靠得太近的斥力问题(Lecture 7 讲过 hcp 中 \(PTT\) 的共面四面体困境,\(PTOT\) 同理)。\(\ce{ReB3}\) 的选择是直接"摆烂":形成 \(\ce{B}\) 的片层,彻底放弃八面体/四面体空隙的规矩。

占位符:ReB3 的 B 片层结构(原图:temp/images/image245.png、image246.png)

本讲总结

堆积记号 结构 关键点
\(3 \cdot 2PTOT\) \(\ce{CsCl}\)\(cP\) \(T+O\) 混合填充,\(Pm\overline{3}m\)
\(3 \cdot 2P_{1/2}TO_{1/2}T\) \(\ce{K2PtCl4}\) 部分填充

体心立方家族的共同教训:\(PTOT\) 在 ccp 里是主角,在 hcp 里是灾难——选对密堆积,比努力填空隙更重要。


第八章 结束

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